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ANSYS通过台积电的7nm FinFET PLUS工艺技术和基于内存基板应用的集成扇出型高级封装技术认证
来源: | 作者:shbasewin | 发布时间: 2019-11-18 | 1958 次浏览 | 分享到:
2018年10月2日,ANSYS宣布,ANSYS解决方案已通过台积电的7nm FinFET Plus(N7+)工艺技术节点认证,支持EUV(极紫外线光刻技术)技术,而且参考流程经验证可支持最新的基于内存基板应用的集成扇出型(InFO_MS)高级封装技术。上述认证和验证对于无晶圆厂的半导体企业非常重要,有助于其仿真工具通过严格的测试和验证过程,从而支持新的工艺节点和封装技术。

ANSYS® RedHawk™和ANSYS® Totem™通过了台积电N7+工艺技术认证,能提供支持EUV的相关特性。N7+的认证包括提取、电源完整性和可靠性、信号电迁移(EM)和热可靠性分析等方面。

业界领先的台积电InFO高级封装技术经过扩展后可将内存子系统和逻辑芯片集成在一起。台积电和ANSYS改进了现有的InFO设计流程,支持新型InFO_MS封装技术,并使用ANSYS SIwave-CPA、ANSYS® RedHawk-CPA™、ANSYS® RedHawk-CTA™、ANSYS® CMA™和ANSYS® CSM™及相应的芯片模型验证了参考流程。InFO_MS参考流程包括晶片和封装的协同仿真和协同分析,支持提取、电源和信号完整性分析、电源和信号电迁移分析以及热分析等。

台积电设计基础设施市场营销部门的高级总监Suk Lee指出:“台积电和ANSYS的最新N7+认证合作和InFO_MS支持工作能帮助客户满足新一代芯片和封装对于更高性能、可靠性和功耗的要求。”
ANSYS半导体事业部总经理John Lee指出:“随着智能互联电子设备的数量不断增多,制造商必须跟上发展步伐,设计出节能型、高性能、可靠性产品,同时降低成本,缩小封装。ANSYS半导体解决方案可满足功率、热、可靠性等复杂的多物理场挑战,也能应对工艺变化对产品性能的影响。ANSYS的综合芯片封装系统解决方案支持芯片感知系统和系统感知芯片签核,有助于双方共同的客户以更大的信心加速设计收敛。”